TSM170N06PQ56

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM170N06PQ56

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

60V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1556 pF @ 30 V
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta), 44A (Tc)
Max. Verlustleistung2.6W (Ta), 73.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PDFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)