TSM076NH04DCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM076NH04DCR RLG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 14A/34A 8PDFNU

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.6mOhm @ 17A, 10V
Basis-TeilenummerTSM076N
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1217pF @ 25V
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 34A (Tc)
Power - Max55.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PDFNU (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)