TSM070NH04LCV RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM070NH04LCV RGG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1376 pF @ 25 V
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 54A (Tc)
Max. Verlustleistung36W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-PDFN (3.1x3.1)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)