TSM070NH04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM070NH04LCR RLG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1446 pF @ 25 V
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 54A (Tc)
Max. Verlustleistung46.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PDFNU (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)