TSM056NH04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM056NH04CR RLG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1942 pF @ 25 V
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 54A (Tc)
Max. Verlustleistung78.9W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PDFNU (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)