TSM032NH04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM032NH04CR RLG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2896 pF @ 25 V
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SeriePerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Ta), 81A (Tc)
Max. Verlustleistung115W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PDFNU (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)