TPAR3D

Taiwan Semiconductor Corporation

TPAR3D

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

120NS, 3A, 200V, FAST RECOVERY R

AbgekündigtTO-277, 3-PowerDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerTPAR3
Capacitance @ Vr, F58pF @ 4V, 1MHz
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
Reverse Recovery Time (trr)120 ns
TechnologieAvalanche

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.55 V @ 3 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-277, 3-PowerDFN
Hersteller-GehäuseTO-277A (SMPC)

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C