SFS1008GH

Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1008GH

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE ARRAY GP 600V 10A TO263AB

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerSFS1008
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 600 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseTO-263AB (D2PAK)

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C