SFS1007GHMNG

Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1007GHMNG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 500V 10A TO263AB

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerSFS1007
Capacitance @ Vr, F50pF @ 4V, 1MHz
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 500 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263AB (D²PAK)

Umwelt

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
QualificationAEC-Q101