Allgemein
| Basis-Teilenummer | S3Q |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 27pF @ 4V, 1MHz |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
S3Q
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DO214AB
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Hersteller-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|