RS1GL

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GL

Analog & Leistungselektronik

DIODE GP 400V 800MA SUB SMA

AktivDO-219ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRS1G
Capacitance @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)150 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 800 mA
Current - Average Rectified (Io)800mA
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 400 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDO-219AB
Hersteller-GehäuseSub SMA

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C