Allgemein
| Basis-Teilenummer | RABS15 |
|---|---|
| Diode Type | Single Phase |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
RABS15M
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1.5 A |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1 kV |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 1000 V |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 4-SMD, Gull Wing |
| Hersteller-Gehäuse | ABS-L |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|