Allgemein
| Basis-Teilenummer | MBRAD10200 |
|---|---|
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRAD10200DH
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE ARR SCHOTT 200V THINDPAK
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 5 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Hersteller-Gehäuse | ThinDPAK |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |