KBU806G

Taiwan Semiconductor Corporation

KBU806G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU

Aktiv4-SIP, KBUAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerKBU806
Diode TypeSingle Phase
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 8 A
Voltage - Peak Reverse (Max)800 V
Current - Average Rectified (Io)8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 800 V

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case4-SIP, KBU
Hersteller-GehäuseKBU

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)