Allgemein
| Capacitance @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Technologie | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2MFSH
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
75NS, 2A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 2 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 1000 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOD-128 |
| Hersteller-Gehäuse | SOD-128 |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |