HS2GAL

Taiwan Semiconductor Corporation

HS2GAL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 400V 2A THIN SMA

AktivDO-221AC, SMA Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerHS2G
Capacitance @ Vr, F25pF @ 4V, 1MHz
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 2 A
Current - Average Rectified (Io)2A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 400 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDO-221AC, SMA Flat Leads
Hersteller-GehäuseThin SMA

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C