Allgemein
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Technologie | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1007G
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 800V 10A ITO220AC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Hersteller-Gehäuse | ITO-220AC |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|