HER1008G

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1008G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE ARRAY GP 10A TO220AB

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerHER1008
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)80 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C