Allgemein
| Basis-Teilenummer | GPAS1004 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
GPAS1004 MNG
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Hersteller-Gehäuse | TO-263AB (D²PAK) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|