GBU606H

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU606H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

6A, 800V, STANDARD BRIDGE RECTIF

Aktiv4-ESIP, GBUAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerGBU606
Diode TypeSingle Phase
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 6 A
Voltage - Peak Reverse (Max)800 V
Current - Average Rectified (Io)6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 800 V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case4-ESIP, GBU
Hersteller-GehäuseGBU

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101