GBU601HD2G

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU601HD2G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBU

Aktiv4-SIP, GBUAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerGBU601
Diode TypeSingle Phase
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 6 A
Voltage - Peak Reverse (Max)50 V
Current - Average Rectified (Io)6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 50 V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case4-SIP, GBU
Hersteller-GehäuseGBU

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101