Allgemein
| Diode Type | Single Phase |
|---|---|
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Technologie | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE BRIDGE 4A 200V GBU
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 4 A |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 4 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 4-ESIP, GBU |
| Hersteller-Gehäuse | GBU |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|