GBU1007H

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1007H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

10A, 1000V, STANDARD BRIDGE RECT

Aktiv4-ESIP, GBUAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerGBU1007
Diode TypeSingle Phase
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max)1 kV
Current - Average Rectified (Io)10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1000 V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case4-ESIP, GBU
Hersteller-GehäuseGBU

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101