Allgemein
| Basis-Teilenummer | ESH3 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20 ns |
| Technologie | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH3D
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Hersteller-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|