BZS55C3V9 RAG

Taiwan Semiconductor Corporation

BZS55C3V9 RAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE ZENER 3.9V 500MW 1206

Aktiv1206 (3216 Metric)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBZS55
Impedance (Max) (Zzt)85 Ohms
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Tolerance±5%

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 10 mA
Voltage - Zener (Nom) (Vz)3.9 V
Current - Reverse Leakage @ Vr2 µA @ 1 V
Power - Max500 mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case1206 (3216 Metric)
Hersteller-Gehäuse1206

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)