BSS123W RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

BSS123W RFG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO

AktivSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 160mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 50 V
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160mA (Ta)
Max. Verlustleistung298mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSOT-323

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)