ARS5045HB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

ARS5045HB0G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 45V 50A ARS

AktivARSAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerARS5045
Capacitance @ Vr, F2700pF @ 4V, 1MHz
HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)150 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If550 mV @ 50 A
Current - Average Rectified (Io)50A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 µA @ 45 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseARS
Hersteller-GehäuseARS

Umwelt

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
QualificationAEC-Q101