TSB582IQ2T

STMicroelectronics

TSB582IQ2T

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

HIGH OUTPUT CURRENT WITH THERMAL

Aktiv8-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

AusgangstypRail-to-Rail
VerstärkertypCMOS
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Ausgangsstrom pro Kanal200 mA
Eingangs-Offsetspannung2.4 mV
Versorgungsspannungsbereich max.36 V
Versorgungsspannungsbereich min.2 V
Eingangs-Biasstrom2 nA
Versorgungsstrom2.5mA (x2 Channels)
Gain-Bandwidth-Produkt3.1 MHz
Anzahl Schaltungen2
Anstiegsrate2V/µs

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C