STY50N105DK5

STMicroelectronics

STY50N105DK5

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 22A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieSuperMESH5™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1050 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc)
Max. Verlustleistung625W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseMAX247™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C