STY30NK90Z

STMicroelectronics

STY30NK90Z

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 900V 26A MAX247

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs490 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12000 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSuperMESH™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Tc)
Max. Verlustleistung450W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseMAX247™

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C~150°C(TJ)