STY112N65M5

STMicroelectronics

STY112N65M5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 96A MAX247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 47A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16870 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieMDmesh™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C96A (Tc)
Max. Verlustleistung625W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseMAX247™

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)