STW9NK70Z

STMicroelectronics

STW9NK70Z

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 700V 7.5A TO247-3

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1370 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSuperMESH™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Tc)
Max. Verlustleistung156W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)