STW78N65M5

STMicroelectronics

STW78N65M5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 69A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 34.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9000 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieMDmesh™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C69A (Tc)
Max. Verlustleistung450W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101