STW68N65DM6-4AG

STMicroelectronics

STW68N65DM6-4AG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4

AktivTO-247-4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 36A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5900 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieMDmesh™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C72A (Tc)
Max. Verlustleistung480W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Hersteller-GehäuseTO-247-4

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101