STW60NE10

STMicroelectronics

STW60NE10

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5300 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusObsolet
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Max. Verlustleistung180W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur175°C (TJ)