STW45NM50FD

STMicroelectronics

STW45NM50FD

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 22.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3600 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusObsolet
SerieFDmesh™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
Max. Verlustleistung417W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)