STW30NM60D

STMicroelectronics

STW30NM60D

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2520 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieMDmesh™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung312W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)