STW25N95K3

STMicroelectronics

STW25N95K3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 950V 22A TO247

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3680 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSuperMESH3™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
Max. Verlustleistung400W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)