STW23N85K5

STMicroelectronics

STW23N85K5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 850V 19A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs275mOhm @ 9.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1650 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieSuperMESH5™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung850 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Tc)
Max. Verlustleistung250W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)