STW16N65M5

STMicroelectronics

STW16N65M5

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs279mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusObsolet
SerieMDmesh™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Max. Verlustleistung90W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)