STW11NK100Z

STMicroelectronics

STW11NK100Z

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.38Ohm @ 4.15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieSuperMESH™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.3A (Tc)
Max. Verlustleistung230W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)