STV270N4F3

STMicroelectronics

STV270N4F3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO

AbgekündigtPowerSO-10 Exposed Bottom PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7500 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusLast Time Buy
SerieSTripFET™ III
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C270A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Tc)

Mechanisch

Package / CasePowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Hersteller-Gehäuse10-PowerSO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)