STV160NF02LAT4

STMicroelectronics

STV160NF02LAT4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO

ObsoletPowerSO-10 Exposed Bottom PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5500 pF @ 15 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160A (Tc)
Max. Verlustleistung210W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CasePowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Hersteller-Gehäuse10-PowerSO

Umwelt

Betriebstemperatur175°C (TJ)