STU5N70M6-S

STMicroelectronics

STU5N70M6-S

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK

AktivTO-251-3 Stub Leads, IPakAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 1.75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds170 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieMDmesh™ M6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Tc)
Max. Verlustleistung45W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak
Hersteller-GehäuseI-PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)