STT5N2VH5

STMicroelectronics

STT5N2VH5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V SOT23-6

AbgekündigtSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds367 pF @ 16 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieSTripFET™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tj)
Max. Verlustleistung1.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-23-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)