STS8DN3LLH5

STMicroelectronics

STS8DN3LLH5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 5A, 10V
Basis-TeilenummerSTS8DN3
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds724pF @ 25V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSTripFET™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max2.7W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)