STS7P4LLF6

STMicroelectronics

STS7P4LLF6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20.5mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2850 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSTripFET™ F6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tj)
Max. Verlustleistung2.7W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)