STS5DP3LLH6

STMicroelectronics

STS5DP3LLH6

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 2.5A, 10V
Basis-TeilenummerSTS5D
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds639pF @ 25V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieDeepGATE™, STripFET™ H6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Power - Max2.7W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)