STS4DNF60

STMicroelectronics

STS4DNF60

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2A, 10V
Basis-TeilenummerSTS4D
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds315pF @ 25V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)