STS2DNF30L

STMicroelectronics

STS2DNF30L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC

Abgekündigt8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 1A, 10V
Basis-TeilenummerSTS2DNF30
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds121pF @ 25V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)